【摘 要】
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制成了基于4H碳化硅(4H-SiC)二极管的4H-SIC探测器,研究了室温~200℃下该探测器的IV特性,同时研究了该温度范围内4H-S1C探测器对α粒子的探测性能,获得了该探测器测得的α能
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,中国工程物理研究院中子物理重点实验室,中国工程物理研究院成都科学技术发展中心
【基金项目】
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中国工程物理研究院科学技术发展基金(2015B0103009),国家自然科学基金(11605174,11775917,11775198)资助
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制成了基于4H碳化硅(4H-SiC)二极管的4H-SIC探测器,研究了室温~200℃下该探测器的IV特性,同时研究了该温度范围内4H-S1C探测器对α粒子的探测性能,获得了该探测器测得的α能谱及其半高宽和能量分辨率随温度变化的规律。探测器的正向电流值随着温度上升而逐渐增大,开启电压逐渐减小;当反向偏压一定时,在温度大于100℃时探测器的漏电流随温度迅速增加。但在温度为200℃和反向偏压为70V的条件下,探测器的漏电流仅为190nA.在室温~200℃范围内,4H-SiC探测器均具备α粒子探测能力。所得能谱的
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