【摘 要】
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研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿
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研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿。电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。
The DC characteristics of arsenic-infused polysilicon emitter transistors were investigated and compared with those of transistors fabricated using conventional planar processes. The results show that the polysilicon emitter transistor has high emission efficiency, high current capability, improved EB breakdown and CB breakdown. The current gain depends on the surface treatment conditions before deposition of polysilicon.
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