工艺参数对磁控溅射TaOx薄膜离子导体性能的影响

来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Tongtong07

【摘要】

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采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测

【作者】

：

黄佳木吕佳张新元覃丽禄

【机构】

：

重庆大学材料与工程学院

【出处】

：

材料导报

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

TaOx 非晶态薄膜离子导体磁控溅射 TaO_xamorphous filmion conductreactive magnetron sputtering

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采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能,结果表明:所得的TaOx薄膜主要为非晶态,在一定范围内,在较低的溅射功率和较低的氧含量实验条件下制备的TaOx薄膜具有较好的离子导电性能.

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