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为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,制备了系列n型掺磷硅氧（SiOx：H）薄膜作为中间层,研究了CO2/Si H4气体流量比、沉积功率和PH3掺杂浓度等工艺参数对材料光电特性的影响,获得了折射率、电导率和禁带宽度能够在较大范围内调控的SiOx：H薄膜。