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用弱粘结煤与石英砂以Acheson工艺合成了SiC,用SEM研究了弱粘结煤高温焦炭的孔隙结构,并对弱粘结煤800℃~1600℃的焦炭进行了X射线衍射分析,计算了各温度下的微晶结构参数.研究表明,弱粘结煤高温焦炭孔隙率、长径比和表面积大,反应性好,可为SiC快速、大范围生长提供有利条件.微晶活化温度范围也和SiC的最佳合成温度范围基本一致.