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采用射频磁控反应溅射法制备氧化钇（Y2O3）薄膜。系统研究了工艺参数对Y2O3薄膜沉积速率的影响规律，使用X射线光电子能谱仪（XPS）分析表征了薄膜的成分。结果表明，Y2O3薄膜的沉积速率随射频功率的增大而增大，在合适的溅射压强下沉积速率呈现极大值，O2／Ar气体流量比和衬底温度的影响不明显，对此从理论上进行了解释。制备的薄膜中Y和O元素的原子浓度基本符合Y2O3的化学计量比。