【摘 要】
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对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行 DSC、红外吸收光谱及 X射线衍射谱分析 ,实验表明 ,淬火态的软化点低 ,在 5 0 0～ 5 10℃下完全熔化 ,有利于芯片的低温封接 .重熔再凝固
【机 构】
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河北工业大学微电子所,河北工业大学金属所,河北工业大学微电子所,河北工业大学高分子材料所,河北工业大学高分子材料所 天津300130,天津300130,天津300130,天津300130,天津3001
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对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行 DSC、红外吸收光谱及 X射线衍射谱分析 ,实验表明 ,淬火态的软化点低 ,在 5 0 0～ 5 10℃下完全熔化 ,有利于芯片的低温封接 .重熔再凝固态的熔点高 ( 63 0℃ )、热稳定性好 ,有利于器件的使用 .进一步研究表明 ,淬火态为无序态 ,再凝固态为结晶态 ,其中存在 Pb2 Zn B2 O6 的晶体相 .无论是在无序态中还是在结晶态中 ,[BO3]3- 离子团都不会破裂 ,均出现其分子振动的特征简正模 .
The results of DSC, IR and XRD showed that the softening point of the as-quenched state was low and completely melted at 500 ~ 5 10 ℃, which was in favor of the chip (63 0 ℃), good thermal stability, is conducive to the use of the device.Further studies have shown that the quenched state is disordered state, the re-solidified state is crystalline state, which exists Pb2ZnB2O6 crystal phase.Whether in the disordered state or in the crystalline state, [BO3] 3-ion clusters will not be broken, all appear its molecular vibration mode of simple normal mode.
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