基于铝薄膜静电力原理实现的光学电压传感器

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分析了基于Pockels效应的光学电压传感器的局限性,这种局限性来自于温度的影响和干涉相位差的间接测量模式。其中温度影响电光晶体的应力双折射和光源的波长,并且由于目前无法精确测量干涉相位差,通常只能应用马吕斯定律将干涉相位变化的信息近似转化为光强变化的信息,再通过光电转换技术最后测量出被测电压值,这样势必带来测量误差。为了消除这两种局限性,将铝薄膜作为传感元件,建立了铝薄膜在电场力的作用下产生变形量和被测电压的数学关系,然后通过CCD直接测量铝薄膜的变形量,从而得出被测电压值,避免了这两种误差。
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