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对GaN直纳米线的拉曼光谱及光致发光光谱进行了研究.拉曼光谱表明,与计算值相比,E2(high)声子频率在560cm-1有-9cm-1的移动,这种声子频率显示出向低能带频移及带变宽的特征,是由于纳米尺寸效应所引起的结果.体系的光致发光光谱在344.8nm附近的近带隙发光,与文献报道的GaN体材料的数值365nm相比有一蓝移,这是由于量子限制效应造成的.