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采用新型通孔结构制作的微波功率GaAs FET,在12GHz,输出功率达1.2W,相应功率增益为6.6dB。在15GHz输出功率为1.1W,相应增益为5.5dB,漏极效率大于30％。
1WKu波段GaAsMESFET
【摘 要】
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采用新型通孔结构制作的微波功率GaAs FET,在12GHz,输出功率达1.2W,相应功率增益为6.6dB。在15GHz输出功率为1.1W,相应增益为5.5dB,漏极效率大于30％。
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1990年2期
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