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本文采用密度泛函方法结合周期性平板模型,研究了氧原子和氧分子在完整和存在缺陷的Cu2O（111）表面的吸附。计算结果表明氧原子倾向于吸附在配位饱和的CuCSA位,而对于氧分子,则强烈倾向于吸附在配位不饱和的CuCUS位。氧分子在含有氧空位的缺陷表面的优势吸附位为平行吸附于空位上方的桥位。过渡态的计算表明氧分子在缺陷表面的解离是一个活化能很小的放热过程。