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高性能硅光电探测器设计及温度特性研究
高性能硅光电探测器设计及温度特性研究
来源 :光电子.激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dongdongthere
【摘 要】
:
采用适当的器件工艺和特制2mm厚无附加镀层光学玻璃滤光片,使所研制的绿光Si光电探测器的最大量子效率口达到91%,光响应信噪比(SNR)大于1×10^4。对该Si光电探测器在零偏下的
【作 者】
:
闫阳
肖夏
姚素英
郑云光
张寅辰
【机 构】
:
天津大学电子信息工程学院,天津第五半导体器件厂
【出 处】
:
光电子.激光
【发表日期】
:
2007年1期
【关键词】
:
Si光电探测器
信噪比(SNR)
温度特性
Si photoelectric detectors
signal-to-noise ratio (SNR)
t
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采用适当的器件工艺和特制2mm厚无附加镀层光学玻璃滤光片,使所研制的绿光Si光电探测器的最大量子效率口达到91%,光响应信噪比(SNR)大于1×10^4。对该Si光电探测器在零偏下的光电流温度特性进行了测量,并对结果做了较深入的理论分析。
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