在非开关工作条件下操作功率MOSFET的一些忠告

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MOSFET的单位面积导通电阻(Rsp)和品质因子(FOM)近年来出现大幅下降.在给定的硅材面积下,降低Rsp的关键因素是改善器件通道的宽度.这个改进促使了超低导通电阻产品的出现.由于栅极电荷在较高开关频率下对能耗的影响越来越重要,作为器件比较的品质因子通常会是RDS(ON))(TJ)·QG.寻求无损耗功率开关的进程仍在继续;MOSFET产品也在不断更新换代,因此需要弄清楚这些MOSFET在作为非典型开关应用(如未钳位电感性开关(UIS)、自钳位电感开关(SCIS),以及线性调压应用)时的表现.本文将研究在非典型开关工作条件下,操作中高跨导(medium and high transconductance)功率MOSFET的一些忠告.
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