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对平板裂缝天线驻波子阵间短路板的两种处理方法--短路板插入法和短路板融入法进行了研究.结果表明,保持所有辐射裂缝单元间距相等的短路板融入法有利于低副瓣性能的实现.对于短路板融入法,采用镜像原理导出了短路板产生的TE20模对相邻辐射裂缝导纳影响的解析表达式.
平板裂缝天线短路板边缘辐射裂缝的研究
【摘 要】
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对平板裂缝天线驻波子阵间短路板的两种处理方法--短路板插入法和短路板融入法进行了研究.结果表明,保持所有辐射裂缝单元间距相等的短路板融入法有利于低副瓣性能的实现.对
【机 构】
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北京航空航天大学电子工程系,南京电子技术研究所
【出 处】
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微波学报
【发表日期】
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2002年2期
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