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随着微电子技术的快速发展，混合集成电路(HIC)和多芯片组件(McM)方面对陶瓷封装材料提出了更高的要求。氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的综合性能,在微电子和微波真空管等电子工业领域中有广泛的应用.以Mo、Mn、MnO、Al2O3、SiO2和CaO等(粒径＜10μm)为原料,在氧化之后的AlN陶瓷表面烧结制得金属化层.通过X射线衍射、扫描电镜及能量色散谱对金属层做物相、显微形貌及能谱成分分析,初步探讨该金属化法的结合机理.结果表明:AlN陶瓷在空气气氛中经过1100℃保温3h高温处理之后,表面生成一层氧化铝(Al2O3),金属化层与陶瓷之间的结合强度超过55MPa.结合机理是:玻璃相的相互迁移渗透在陶瓷与金属层之间形成机械结合,新共熔物(CaO)12(Al2O3)7的生成也有助于提高结合强度.