论文部分内容阅读
研究了氧化对外延在SOI衬底上的SiGe薄膜的残余应变弛豫过程的影响．通过对SiGe薄膜采用不同工艺的氧化，从而了解不同氧化条件对SOI基SiGe薄膜的应变弛豫过程的影响．氧化将会促使SiGe薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中．而SiGe薄膜的残余应变弛豫过程将会与Ge原子的扩散过程同时进行，通过对SiGe薄膜和SOI顶层硅中位错分布的分析发现：在氧化过程中，SiGe薄膜和SOI衬底之间存在一个应力传递的过程。