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利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料，采用恒浓度高温扩散方法制备ｎ型立方氮化硼半导体材料。通过化学气相沉积方法在ｎ型立方氮化硼上外延生长ｐ型金刚石薄膜。在基础上，通过欧姆接触电极的制作，制备出金刚石薄膜／立方氮化硼异质ｐｎ结，并给出ｐｎ结的伏安特性曲线。
金刚石薄膜／立方氮化硼异质结的制备
【摘 要】
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利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料，采用恒浓度高温扩散方法制备ｎ型立方氮化硼半导体材料。通过化学气相沉积方法在ｎ型立方氮化硼上外延生长ｐ型金刚石薄膜。在基础上，通过欧姆
【机 构】
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长春86003部队实验室,吉林大学原子与分子物理研究所超硬材料国家重点实验室
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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2000年2期
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