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改变交流电密度(J)、电解液温度(T)及盐酸浓度(ci)侵蚀电容器铝箔,并以表观电化学参数(J/ciT)为依据,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律,研究了铝箔在纯盐酸中受[Cl-]和[H+]影响的交流侵蚀机制.
表观电化学参数对铝箔交流电侵蚀的影响
【摘 要】
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改变交流电密度(J)、电解液温度(T)及盐酸浓度(ci)侵蚀电容器铝箔,并以表观电化学参数(J/ciT)为依据,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律,研究了铝箔在纯盐酸中受
【机 构】
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四川大学,四川,成都,610065南通海星电子有限公司,江苏,通州,226361;
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2004年期
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