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本文通过对光导红外探测器的基本理论进行分析，给出了获得高性能红外探测器应具备的晶片参数和工艺设计的理论依据。实践证明，在此理论指导下开展长波线列光导器件研制，能重复制备出昏性能、高均命性的３２元、４８元和６０元红外探测器，其Ｄ￣＊＿ｂ＞１×１０￣（１０）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１）、Ｒ＿Ｖ＞１×１０￣４ＶＷ￣（－１）、λ＿ｐ＞１１μｍ和λ＿ｃ＞１２μｍ。