【摘 要】
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<正> 在研究半导体材料硅时,发现即使有微量氧存在,也会影响材料的物理性能。因此超纯硅中微量氧的测定很重要。一般的质谱法、真空熔融法及14兆电子伏的快中子活化法仅可测
【机 构】
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中国科学院上海原子核研究所活化分析组,
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<正> 在研究半导体材料硅时,发现即使有微量氧存在,也会影响材料的物理性能。因此超纯硅中微量氧的测定很重要。一般的质谱法、真空熔融法及14兆电子伏的快中子活化法仅可测定几个ppm。由直线加速器产生的高能轫致辐射的γ光子活化法虽可测到0.1ppm,由于其产核半衰期太短(15O,T1/2=122秒),使得样品辐照后的化学操作很困难。而用带电粒子（p,3He,α）活化分析法,所采用的核反应为:18O
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