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采用直流磁控溅射法在硅基底上制备 VO2薄膜，并对薄膜氧化热处理。分别对热处理前后薄膜进行 X 射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）透射率测试，分析了热处理对 VO2薄膜晶相成分与红外透射率相变特性的影响。实验分析表明，经热处理的 VO2发生非晶态向晶态转变，单斜金红石结构 VO2（011）晶体具有明显择优取向，晶粒尺寸均匀度提高，且薄膜的红外透射率具有明显相变特性，相变温度为60.5℃，3-5μm、8-12μm 波段的红外透射率对比值达到99％，适合应用于红外探测器的激光防护研究。