Ag／Bi4Ti3O12栅铁电场效应管ID-VG特性双曲模型

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shekitito

【摘要】

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在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟.该模型不但与阈值电压、沟道饱和

【作者】

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王华任鸣放

【机构】

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桂林电子工业学院信息材料科学与工程系

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

铁电场效应晶体管 ID-VGc特性数学模型数值模拟 FFET ID-VG characteristics model simulation

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在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟.该模型不但与阈值电压、沟道饱和电流等器件参数相关而且充分反映了剩余极化、矫顽电压等铁电栅介质极化特性对器件ID-VG特性的影响.结果表明:模拟曲线与实验曲线基本一致,能较好地模拟和描述铁电场效应晶体管的ID-VG特性.

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