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用阴极射线致发光（CL）法、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系．结果表明，GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心，但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少．两步法生长GaN形成的马赛克结构的亚晶粒尺寸和晶粒间合并产生的位错的弯曲程度是影响材料发光效率的关键．