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讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题.在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS来测量这一极性,最后给出了一种模型来解释这一极性的转变.
MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变GaN的极性
【摘 要】
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讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题.在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS来测量这一极性,最后给出了一种模型来解释这
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2001年6期
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