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采用直流反应磁控溅射方法，通过改变衬底温度并优化生长参数，在玻璃衬底上生长了In-N共掺P型ZnO薄膜。X射线衍射（XRD）测试表明，所得薄膜结晶性能良好，且具有很好的C轴择优取向。Hall测试的结果所得P型ZnO薄膜最低电阻率为35．6Ω·cm，霍尔迁移率为0．111cm^2·V^-1·s^-1，空穴浓度为1．57×10^18cm^-3。x光电子能谱（XPS）测试表明，铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中，且铟元素有效地促进了氮元素的掺入。紫外可见（UV）透射谱测试表