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为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化，低温（<600℃）、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导a-Si薄膜横向晶化工艺中，成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试，分析了多晶硅薄膜的电学特性。
微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究
【摘 要】
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为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化，低温（<600℃）、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导a-Si薄膜横向晶化工艺
【机 构】
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华中科技大学激光技术国家重点实验室,华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2002年3期
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