关于HF,F2,FCl,FBr的分子形貌轮廓以及边界电子密度的研究

来源 :辽宁师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:inc9649
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利用Davidson等人发展多年的M ELD精密从头计算程序的CISD方法,结合自编的分子形貌程序,描绘 HF ,F2,FCl ,FBr双原子分子形貌图.计算双原子分子中X原子端和F原子端在垂直于化学键方向上和沿着化学键方向上的分子形貌轮廓参数 R (R/a .u .)以及对应的边界电子密度 ED(ED/10^-3 a .u .).比较各原子端轮廓参数与相应孤立原子半径的大小,联系第一电离能的变化趋势,发现对于卤族元素之间形成的氟化物,第一电离能越小,分子形貌轮廓参数越大,边界电子密度越小.对于核电荷数相
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