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采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对NaSi和KSi的电子结构进行了理论计算,能带结构计算表明NaSi是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.32eV;KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42eV;并详细讨论了NaSi和KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度。
MSi（M=Na,K）电子结构的第一性原理研究
【摘 要】
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采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对NaSi和KSi的电子结构进行了理论计算,能带结构计算表明NaSi是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.32eV;KSi是一种准直接带隙
【机 构】
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绵阳师范学院物理与电子工程学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所
【出 处】
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绵阳师范学院学报
【发表日期】
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2010年5期
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