近空间升华法制备CdTe薄膜

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：songchuans

【摘要】

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研究了衬底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400 ℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大，尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2

【作者】

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【机构】

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四川大学材料科学系,四川大学材料科学系

【出处】

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半导体光电

【发表日期】

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2001年2期

【关键词】

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【基金项目】

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国家科技攻关项目，国家自然科学基金

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研究了衬底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400 ℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大，尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2甲醇溶液，可促进热处理过程中薄膜晶粒的长大。

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