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本文提出了一种用a-Si作绝缘层的表面变容二极管。该器件光敏性高,电容比大,稳定性好以及制造工艺简单,可望获得新的应用。
用非晶硅作绝缘层的表面变容二极管
【摘 要】
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本文提出了一种用a-Si作绝缘层的表面变容二极管。该器件光敏性高,电容比大,稳定性好以及制造工艺简单,可望获得新的应用。
【机 构】
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兰州大学物理系,兰州大学物理系
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1985年01期
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