【摘 要】
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利用紧束缚分子动力学方法模拟研究了Si10团簇与Si(111)表面碰撞的微观过程.研究了入射动能在10～60eV之间的碰撞过程,给出了不同时刻体系的原子位置的微观状态图.结果表明:Si1
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利用紧束缚分子动力学方法模拟研究了Si10团簇与Si(111)表面碰撞的微观过程.研究了入射动能在10～60eV之间的碰撞过程,给出了不同时刻体系的原子位置的微观状态图.结果表明:Si10与Si(111)面碰撞时,吸附在晶体表面的能量域值为20eV,替位域能为30eV,损伤域能为40eV;入射能量大于50eV时,晶体表面严重损伤并且在60eV时,发现在外延层有Si7团簇生成;Si10团簇保持其结构特性吸附在Si(111)表面,需要的最佳能量在10～20eV之间,进而通过对碰撞结果的讨论得到了改变轰击能量可
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