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在考虑杂质不完全离化的作用下，建立了6H—SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型。并通过模型，仿真分析了器件电流随温度的变化情况。在温度达到600k以上时，杂质的不完全离化作用对器件的影响不明显。常温下电流特性模型的仿真结果与实验结果的一致性，说明了本模型的准确性。
6H—SiC埋沟NMOSFET耗尽模式的电流特性分析
【摘 要】
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在考虑杂质不完全离化的作用下，建立了6H—SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型。并通过模型，仿真分析了器件电流随温度的变化情况。在温度达到600k以上时，杂质的不完全离化
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院
【出 处】
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山西电子技术
【发表日期】
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2008年4期
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