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综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展.首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散.首次通过全势缀加平面波(FPLAPW)方法,对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算.我们的计算结果显示出顶层Si-C键长收