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研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性.结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度受N2O退火温度的制约;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微,击穿电场受栅偏压极性的制约.用一定模型解释了实验结果.
薄栅氮化物的击穿特性
【摘 要】
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研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性.结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度受N2O退火温度的制约;N对薄栅介质的击穿电场
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2002年3期
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