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a-Si:H薄膜的再结晶技术发展概述
a-Si:H薄膜的再结晶技术发展概述
来源 :能源工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:o8o8kid
【摘 要】
:
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化.着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步
【作 者】
:
冯团辉
卢景霄
张宇翔
郜小勇
王海燕
靳锐敏
【机 构】
:
郑州大学
【出 处】
:
能源工程
【发表日期】
:
2004年6期
【关键词】
:
再结晶
激光晶化
炉子
金属
快速热退火
A-SI:H薄膜
非晶硅薄膜
研究成果
amorphous silicon thin film
recrystall
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论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化.着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.
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