IGBT模块寿命评估研究综述

来源 :电工技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:marsxiaozhu
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电力电子系统实现电能变换与控制的核心组件之一。然而,工业界反馈的数据表明,应用于高可靠性场合的IGBT模块可靠性并不高,其热疲劳失效将会导致整个系统的非计划停机。对IGBT模块的预期使用寿命进行评估,将有助于指导电力电子装置的定期维修,降低经济损失。相关研究表明,IGBT模块的失效和温度关系密切,因此该文从热特性角度阐述IGBT模块的寿命评估。具体涉及热疲劳失效机理、热网络的建立与应用、热参数的辨识与监测、结温的估算及用于寿命预测的失效物理和解析模型五个方面。最后总结了现有
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总结了玻璃封接电连接器电镀常见问题的原因,包括电镀后气密性下降,电镀后电绝缘性不合格,以及接触体抗腐蚀能力较差。提出了相应的改进措施。
在电力电子系统中,因器件击穿、硬件电路缺陷或系统控制失误导致碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)误开通时,桥臂电流回路中多个器件处于开通状态,形成串联短路故障。该文以SiC MOSFET半桥电路为研究对象,详细介绍SiC MOSFET串联短路的动态过程,理论分析负载电流、栅极驱动电压和结温温升对SiC MOSFET短路动态特性的影响规律,推导出SiCMOSFET分压模型,并采用仿真模型进行验证。实验基于1 200V/80ASiC MOSFET测试平台验证电路参数对短路损耗和结温分布