【摘 要】
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双模绝缘栅晶体管(BIGT)由于整合开关器件与反并联二极管这一概念具有难以攻克的技术挑战,因此近年来这一技术仅被用于低功率组件(如IGBT和MOSFET)以及特殊应用。另外,IGCT等
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双模绝缘栅晶体管(BIGT)由于整合开关器件与反并联二极管这一概念具有难以攻克的技术挑战,因此近年来这一技术仅被用于低功率组件(如IGBT和MOSFET)以及特殊应用。另外,IGCT等大面积双极型器件已经采用了单片集成技术,但其中的IGCT和二极管需要完全分离的硅区。
Bimodal Insulated Gate Transistors (BIGT) This technology has only been used for low-power components such as IGBTs and MOSFETs, as well as for special applications, in recent years because of the difficult technical challenges of integrating switching devices with anti-parallel diodes. In addition, monolithic integration has been used for large area bipolar devices such as IGCTs, but IGCTs and diodes in them require fully isolated silicon regions.
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