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作为制造下一代微波功率器件的材料，GaN具有先天的性能优势，可以很好地满足高温、高频以及大功率器件的性能要求，在卫星通信、雷达等领域有着广泛的应用前景，是当前半导体技术最重要的发展前沿之一。经过多年努力，南京电子器件研究所最近研制成功了X波段连续波功率输出119W的GaN功率HEMT，这是国内外关于GaNHEMT在X波段连续波输出超过100W的首次报道。