高性能高应变InGaAs量子阱脊型波导半导体激光器

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【摘要】

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介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率

【作者】

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曲轶 J. X. Zhang A. Uddin S. M.

【机构】

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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, School of Materials Science and Engineering,Department of Microtechnology and

【出处】

：

中国科学E辑

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

高应变 InGaAs量子阱脊型波导激光器

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介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率达到50 mW.腔长600μm时,器件阈值电流密度为300 A/cm2.在100 mA电流下,激光器的峰值波长为1.19μm,激光器的最大斜率效率为0.45 W/A.在20℃至100℃温度下,激光器的特征温度为129 K.

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