【摘 要】
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采用等离子体粒了模拟方法(PIC/MCC)方法对一维模型模拟了容性耦合等离子体(CCP)源放电过程中等离子体的动力学行为.在模拟氩气放电的过程中,综合考虑了电子与Ar之间的弹性碰
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所,贵州大学PSI研究所MEMS课题组,荷兰皇家科学院等离子体所
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采用等离子体粒了模拟方法(PIC/MCC)方法对一维模型模拟了容性耦合等离子体(CCP)源放电过程中等离子体的动力学行为.在模拟氩气放电的过程中,综合考虑了电子与Ar之间的弹性碰撞、激发、电离以及Ar与Ar+之间的弹性碰撞和电荷交换过程.由模拟结果可知,射频极板附近鞘层区域在极短时间内形成,其厚度随着时间的增加而增厚;而射频极板处的粒子通量随着时间的增加逐渐减小.经过一段时间后,射频极板处平均粒子通量、平均电流以及鞘层平均厚度逐渐趋于平衡.在鞘层区域电流主要由位移电流构成,在等离子体区域电流主要由传导电流贡献.最后讨论了达到平衡态后等离子体密度、电势、电场强度和能量的空间分布情况.
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