论文部分内容阅读
以甲烷、硅烷和氢气为反应气体，采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅（SiC）薄膜．通过X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析．实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺寸有很大影响，当氢气流量从10SCCM变化到300SCCM时，薄膜晶粒的平均尺寸将由较大的400nm左右减小到40nm左右．