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基于0．6μm BiCMOS工艺设计了一种无需基准电压源和比较器的高性能欠压封锁电路（UVLO）。利用带隙基准电压源的原理，实现了欠压封锁的阈值点和迟滞量；而且带隙基准电压源结构自身的稳定性决定了欠压封锁能够稳定工作。仿真验证结果表明，该欠压封锁电路的翻转阈值点几乎不随温度变化。
一种高性能欠压封锁电路
【摘 要】
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基于0．6μm BiCMOS工艺设计了一种无需基准电压源和比较器的高性能欠压封锁电路（UVLO）。利用带隙基准电压源的原理，实现了欠压封锁的阈值点和迟滞量；而且带隙基准电压源结构自身的
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2007年4期
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