【摘 要】
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本文比较了各种吸杂技术,详细介绍了芯片背面激光损伤的吸除效果,使MOS电容器载流子产生寿命提高了二个数量级,达10~3μsec。把LID与HCL高温处理结合使用,差不多可以吸附起始
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本文比较了各种吸杂技术,详细介绍了芯片背面激光损伤的吸除效果,使MOS电容器载流子产生寿命提高了二个数量级,达10~3μsec。把LID与HCL高温处理结合使用,差不多可以吸附起始衬底和管芯加工中引进的全部金属杂质(Au除外),使Si片表层为清洁区。
In this paper, we compared all kinds of gettering techniques and introduced the gettering effect of the laser damage on the backside of the chip in detail. The lifetime of carrier generation in MOS capacitors is increased by two orders of magnitude, reaching 10 ~ 3μsec. The combination of LID and HCL heat treatment can almost completely adsorb all the metal impurities (except Au) introduced in the starting substrate and die processing, making the surface of the Si wafer a clean area.
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