【摘 要】
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氮化硅(Si3N4)具有优异的物化性能,在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位.高质量粉体是制备高性能Si3N4陶瓷的首要前提.通常高质量Si3N4粉体需要满足粒径细、分布窄、α相含量高、杂质含量低等条件.基于合成反应体系综述了当前国内外制备Si3N4粉体的方法,着重从强化传热与传质角度介绍了改善粉体质量的研究进展,并介绍了当前工业生产现状,展望了高质量Si3N4粉体制备技术的发展趋势和方向.
【机 构】
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中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室,北京100190;中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室,北京100190;中国科学院大学化学工程学院,北京100049
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氮化硅(Si3N4)具有优异的物化性能,在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位.高质量粉体是制备高性能Si3N4陶瓷的首要前提.通常高质量Si3N4粉体需要满足粒径细、分布窄、α相含量高、杂质含量低等条件.基于合成反应体系综述了当前国内外制备Si3N4粉体的方法,着重从强化传热与传质角度介绍了改善粉体质量的研究进展,并介绍了当前工业生产现状,展望了高质量Si3N4粉体制备技术的发展趋势和方向.
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