[目的]研究磁场胁迫对绿豆叶片延迟发光的影响.[方法]以绿豆叶片为试验材料,用BPCL型微弱发光测量仪测量超弱发光的变化,先测量本底和叶片的自身发光,再把叶片分别放入225和450 mT磁场中处理10、20、30 s后,分别测定其延迟发光曲线,连续测量3次,比较延迟发光曲线和总光子数与自身发光不同之处.每次测量时间为50 s,间隔0.1 s.试验在恒温17 ℃暗室的条件下进行,避免外界刺激温度和其他光源对试验结果的影响.[结果]叶片内部对磁场刺激的吸收有其自身的法则,一定的磁场强度和一定的处理时间能够激发绿豆叶片体内延迟发光,但超过一定的胁迫时间,就会减弱叶片体内超弱发光强度;在刺激前期随时间延长磁致发光明显,但超过一定时间限度后随时间推移磁致发光就会越来越弱.[结论]超弱发光的测定是在不影响体系内部环境、不破坏叶片组织结构情况下进行的,其规律性变化是体系内部各组成部分之间相互作用强弱的体现,是整个体系内部生理状态的整体体现,比体系内部某一部分或某一物质的变化更能反映衰老的过程.因此,超弱发光可以作为一个整体性指标,从体系内部各组成部分之间的相互作用上研究叶片的衰老过程,也可以作为一种新的生物物理方法来研究生物的生理功能作用及衰老机理.