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随着工艺特征尺寸的不断缩小,芯片的信号完整性问题逐渐恶化。根据超深亚微米（ultra-deep submicron,UDSM）工艺特性,阐述了串扰噪声和同步开关噪声（Simultaneous Switch Noise,SSN）的产生机理以及对芯片信号完整性的影响,并且分析了走线密度、时钟频率和供电布局等与这2类噪声强度相关的主要因素,进而得出了在集成电路版图设计早期,有效预防和抑制信号完整性问题的一系列方法。