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一些无机半导体器件和许多有机薄膜器件都具有电双稳特性。通过对CuPc有机薄膜器件的I-V曲线的分析，说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性。研究了膜厚对器件I-V特性的影响，结果表明CuPc膜厚达到750nm器件才表现出明显的电双稳特性，此时跳变电压为7．51V。Ag底电极器件的转变电压（9．6V）与ITO底电极器件的转变电压（7．47V）不同，简要分析了造成这种区别的原因。并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释。