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以四氯化锡和三氯化锑为主要原料，采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡（ATO）薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征，考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明：所制备的ATO薄膜为（110）面择优取向的四方相锡石结构，晶粒尺寸小于26nm，当锑掺杂量为10％（物质的量分数）时，ATO薄膜具有最小的方块电阻（60．1Ω/□），可见光透过率大于85％。