基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型

来源 :北京理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：laowang2000

【摘要】

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提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构，称为SBLDMOS．通过在高阻P型衬底背面注入N^＋薄层，衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场，纵向漏端电压由源端

【作者】

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李琦唐宁王卫东李海鸥

【机构】

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桂林电子科技大学信息与通信学院

【出处】

：

北京理工大学学报

【发表日期】

：

2012年12期

【关键词】

：

衬底偏压电场调制击穿电压耐压模型 substrate bias electric field modulation breakdown voltage b

【基金项目】

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广西自然科学基金资助项目（2010GXNSFB013054）,广西省重大科技攻关工程资助项目（11107001-20）

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提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构，称为SBLDMOS．通过在高阻P型衬底背面注入N^＋薄层，衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场，纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担，器件的击穿特性显著改善．求解漂移区电势的二维Poisson方程，获得表面电场和击穿电压的解析式，研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响．仿真结果表明，与埋层LDMOS相比，SBLDMOS击穿电压提高63％．

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