论文部分内容阅读
首次提出采用掠入射质子荧光分析（PIXE）方法对表面存在污染的铝片、注入铁离子的单晶硅片以及注入氧隔离SOI半导体材料进行了分析。实验结果表明，现有PIXE分析技术不需要对设备做任何重大的升级改造，只是简单的采用掠入射方法，就能有效提高其表面分析的灵敏度。通过研究不同角度时峰面积与探测限之比与穿透深度之间的关系，得出质子束在样品中的穿透深度越浅，峰面积与探测限的比值就越大，可检测的表面污染的灵敏度就越高。